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韩国半导体制κ造商SK海力士3日′表示，公司成功研发出全球首款业界最高层数的238层512Gb TLCće;（Triple Level Cell）4D闪存芯片（NAND）样品，该芯片将于明年上半年实现量产。
SK海力士当天在美国加州举行的2022全球闪存峰会上公开该产品。公司表示，这是公司自2020年12月研发出176层NAND后¤时隔1年零ડ7个月成功研发下一代新技术。尤其是新产品既拥有业界最高Ω层数，也是目前最小的NAND产品，其意义重大。
与176层NA™ND相比，新产品的生产效率提升Β34%，数据传输速度（每秒2.4Gb）õ提升50%，功耗减少21%。
♬SKછ海力士计划先为客户端固态硬盘（SSD）供应238层NAND，之后逐步将产品使用⋅范围扩大至智能手机和大容量服务器固态硬盘，并于明年推出该产品的1Tb扩容版。
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