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全球第二大存储芯片制造商韩国ࢵSK海力士集团周三表示,已开发出其最先进的NAND闪存芯片,该芯片由238层存储单元组成,将用于个人电脑存储设备,以⊄及智能手机和服务器。
此前美国竞争对手美光λ科技在上周宣布,已开始出货一款232层的NAN‾D闪存芯Υ片。
SK海力士表示,ࢮ这款238▦层的新芯片是NAND闪存芯片中ä尺寸最小的,数据传输速度比上一代芯片提高了50%,读取数据时消耗的能量减少了21%。
⊇ 该公‹Þe;司表示,计划在2023年上半年开始批量生产这种芯片。
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