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记∑者 | 彭新ℜ
8月3日，长江存储科技有限责任公司（长江存储）在2022年闪存峰会（FMS）上正式发布了ખ基于晶栈（Xt€acking）3.0技术的第四代TLC三维闪♦存X3-9070。长江存储称，相较上一代产品，X3-9070拥有更高的存储密度，更快的读写速度，性能提升的同时功耗更低。
长江存储并未披露其三维闪存X3-9070颗粒“层数”，仅表示其为长江存储历史上密度最高的闪存颗粒产品ò，能够在更小的单颗芯片中实现1Tb存储容量。所谓“层数”，体现的是存储芯片的粗略技术∋节点，想要大幅提高存储密度，增加层数就是关键。目前NAND闪存从最初的2″4层一路上升，发展到现在的200多层。
而长江存储提及的晶栈则是闪存的一种创新架构，可实现在两片独立的晶圆上加工外围¨电路和存储单元，这样有利于选择更先进¦的逻辑工艺，从而让NAND能获取更高的数据读写速度及更多的操作功能。当两片晶圆各自完工后，Xtacking只需一个处理步骤即可通过数百万根垂直互联通道（VIA）将两片晶圆键合ડ，合二为一。
੨ 长江存储执行副总裁陈轶表示：ζ“X3-9070闪存颗粒拥有出色的性能表现和极高的存储密度，能够‡快速高效地应用于主流商用场景之中。”
δ 长江存储称，新一代X3系列闪存产品将为大ા数据、5®G、智能物联及其他领域的多样化应用带来机遇。
NAND Flash芯片技术上，只要堆叠的层数越多，容量就会越高。NAND闪‰存堆对层数达到200以上是产业的创举，包括美光、三星、SK海力士、铠侠等闪存大厂都进入ä200以上层ü数竞争。
7月26日，美国美光科技表示将开始出货其最先进的NAND闪存芯片，也是首家正式宣布将NAND芯片扩展到超过200层的企业，美光介绍称该闪存芯片由232层存储单元组成，数据传输速度将比其上一代176层的芯片快50%，且封装尺寸比前几代产品还要小28%。该芯片将主要瞄准人工智能和机器学习等以数据为中心的领域，满足ρ∨其低延迟和高吞吐量的需求。美光表示将于2022年底开始量产232层NAND。
SK海力士公司也宣布，已开发出超200层的ÙNAND闪存芯片。该款芯片由238层存储单元组成，比美光最新公布的闪存芯片还要多6层。据SK海力士称，238层芯片是其尺寸最小的NAND闪存芯片，数据传输速度和功率比上一代提ⓣ高了50%，读取数据β消耗的能量也减少了21%。这款最新芯片将在2023年上半年开始量产。
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