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ⓕ« 美国政࠷府又出手打压?
美国政府♪又出芯片限€制措施ਲ਼
据环球时报报道,美国政ϒ府7日将31家中国公司、研究机构和其他团体列入所谓“未经核实的名⊃单”,限制它们获得某些受监管的美国半导体技术的能力。外媒称,新的限制措施旨在阻止北京发展自己的芯片产业和提升军事能力。
对此,商务部研究院૮国际市场研究所副所长白明告诉环球时报记者,这是美国对于ⓟ中国的“系统性打压”,目的就是为了防止中国的高科技产业做大做强。
环球时报援引路透社6日的报道称,美国商务部计划本周发布对中国技术出口的新限制,恐禁止美国供应商向生产先进DRAM和NAND芯片的中国制造商ઢ提供设备。路透社援引消息人士的话<称,新限制措施针对在中国的两种芯片制造商,一种是生产在系统使用时保存来自应用程序信息的DRAM芯片,另一种是生产用于数据和文件存储的NAND闪存芯片。美国供应商若向中国本土芯片制造商出售尖端生产设备,生产18纳米或以下的DRAM芯片、128层或以上的NAND闪存芯片、14纳米或以下的逻辑芯片,必须申请许可证并将受到严格审查。有专家称,这些新限制一旦发布,将标志着美国首次通过出口管制打压中国生产的无专门军事用途的存储芯片,而这也代表了美国对所谓“国家安全”概念的再次扩大化。路透社称,中国的长江存储技术有限公司和ß长鑫存储技术有限公司等将因此受到影响。
路透社称,中国驻⊄美大使馆6日将美商务部此举称为“科技霸权”,美国在使ઠ用“科技实力”限制和压制新兴市场和发展中国家的发展。截至发稿时,白宫、美商务部以及അ相关公司均未对此事做出回应。
不过,环球时报报道显示,消息人士ⓡ告诉路透社,美国政府或将对韩国在华内存芯片制造商三星和SK海力士“网开一面”,因为向在中国生产先进存储芯片的外国企业提供生产设备有可能通过美国商务部的审查。“我们的目标是不伤害非中国本土企业。”知情人士表示。一家咨询公司的数据显示,SK海力士25%的NAND晶圆生产和三星38%的NAND晶圆生产位于中国,SK海力士约50%的DRAM生产位于中国。路透社称,此举可以缓解ੋ韩国内存芯片制造商的担忧。然而,他们仍然担心,这种逐案审查的标准远远没有为美国设备运往中国工厂开出明确的绿灯。韩联社称,韩国政府计划就“批准程序”问题与美国政府进行协商,以确保在华韩企工厂的正常运转。
ࣻ 此⇒前签美芯片法案实施战略“点名”打压∧中国
为针对中国芯片行业,在更早之前,根据环球时报报道,8月9日,美国总统拜登签署“芯片法案”,该法案计划为美国半导体શ产业提供高达527亿美元的政府补贴,其中500亿美元被拨给“美国芯片基金”计划。根据美国商务部发布的信息,“美国芯片基金”计划旨在振兴Ψ美国国内的半导体产业并激励创新,同时在美国各地创造高薪工作。
“芯片法案”中包含了“护栏条款”,即接受资助的公司至少10年内不能在中国或其他“令人担忧的国家”进行新的高科技投资,除非它们生产的是技术含量较低的成熟制程芯片,只为当地市场服务。《纽约时报》援引美国商务部发布的战略文件称,虽然美国仍然是»芯片设计的全球领导者,但它在最先进芯片的生产∑方面已经失去领先优势。
中国半导体行业协会此ੋ前曾发表声明称,“芯片法案”相关条款与全球半导体产业多年来形成的公平、开放、非歧视的共识背道而驰,违反美国参与建立的世界半导体理事会章程精神。声bc;明敦促美国尊重行业共识,及时纠正错误做法,停止将经贸、科技问题政治化、工具化、武器化,停Ąf;止给全球半导体产业界正常的交流合作人为设置障碍。
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